据媒体报道，近日美国加利福尼亚北区法院公布的信息显示，长江存储已于11月9日起诉美光科技有限公司及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。
长江存储在专利侵权起诉书中称，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash（闪存）市场来阻止竞争和创新。
据悉，长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。
长江存储在以上起诉书中称，长江存储不再是新秀（upstart），而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示，去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。
资料显示，长江存储成立于2016年7月，总部位于武汉， 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。2018年，长江存储量产第一代32层3D NAND Flash芯片，2019年量产64层256Gb TLC 3D NAND闪存，2020年跳过96层研发两款128层闪存产品。长江存储此前还推动扩产，不过，自去年以来，由于受到美方的打压，无法获取先进的美日荷设备，产能扩张受到了限制。此次，长江存储通过对美国存储芯片大厂美光发起专利诉讼，将维护自身权益。
2022年10月，美国商务部工业和安全局发布出口管制新规，限制对中国出口芯片制造设备等，将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月，美国又将长江存储纳入出口管制“实体清单”。
NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质，NAND Flash可制造SSD（固态硬盘）等存储器，用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示，今年第二季度，全球NAND Flash品牌厂商中，三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他厂商占比仅3.8%。
